IT之家 12 月 9 日音问，韩媒 SEDaily 当地时候本月 6 日征引音问东说念主士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的设立，并从上月运转将该技巧滚动至位于平泽 1 号工场的量产线上。

参考IT之家此前报说念，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 外洋固态电路会议上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产物领受晶圆键合技巧，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。

韩媒以为三星 V10 NAND 将领受三堆栈结构。据悉该闪存在设立阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正勤快在量产线上晋升第 10 代 V-NAND 良率，若是情况成功将于 2025 下半年获取 PRA 量产就绪许可，最快来岁二季度末就可能插足量产阶段。

左证 TrendForce 集邦洽商数据九游体育app娱乐，三星电子在 2024 年三季度不息蝉联第一大 NAND 闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过扩展先进产能以进一步安适越过地位：三星盘算来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程升级责任也在鼓励。